EU 집행위, 유럽 반도체법에 따라 국가 지원 3억1,900만유로 승인
핵심 요약
- 인피니언이 오스트리아 빌라흐에 300mm GaN 전력반도체 양산 거점을 구축한다. AI 데이터센터와 에너지 인프라 수요에 대응하고 웨이퍼당 칩 생산량을 늘려 제조 효율을 높인다.
인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies)가 오스트리아 빌라흐의 기존 클린룸을 활용해 300mm 질화갈륨(GaN) 전력반도체 양산 거점을 구축한다고 10월 28일 밝혔다. 2034년까지 약 11억유로를 투입하며, 생산은 2027년 말 시작한다.
300mm 웨이퍼는 200mm보다 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수가 약 2.3배 많아 제조 효율과 원가 경쟁력을 높일 여지가 있다. 인피니언은 2년 전 업계 최초로 300mm GaN 웨이퍼 가공에 성공했으며, 이번에 상업용 양산으로 전환한다고 설명했다. GaN은 전력 변환 손실과 발열을 줄이고 장비 소형화에 기여한다.
투자는 AI 데이터센터·에너지 인프라·전기차·로보틱스의 고성능 전력 공급 수요에 대응하기 위한 조치다. 유럽연합(EU) 집행위원회는 유럽 반도체법(European Chips Act)에 따라 3억1,900만유로의 국가 지원을 승인했다.
요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 최고경영자(CEO)는 "300mm 웨이퍼 기반 양산 체제를 구축해 GaN 전력전자 분야의 대량 생산을 선도하겠다"며 "AI와 에너지 인프라, e-모빌리티, 로보틱스 등 주요 분야에서 GaN 적용을 확대할 기반을 마련할 것"이라고 말했다.
