대만·일본 반도체 제조사와 기술 협력 확대 추진
핵심 요약
- 에이스나노켐이 전력 트렌치 MOSFET용 Poly-Si 슬러리, 실리콘 웨이퍼 표면처리액, 유리 TGV용 슬러리 개발을 마쳤다. 연마 성능과 표면 청정도·평탄도 개선을 겨냥했다.
에이스나노켐(Ace nanochem)이 전력반도체와 첨단 패키징 공정에 쓰이는 소재 3종의 개발을 완료했다고 11월 2일 밝혔다. 전력 트렌치 MOSFET용 Poly-Si 슬러리, 화학적 기계적 연마(CMP) 후 실리콘 베어 웨이퍼 표면처리액, 유리 관통전극(TGV) 가공용 슬러리로, 선택적 연마와 표면 청정도·평탄도 확보를 겨냥했다.
Poly-Si 슬러리는 게이트 산화막 손상을 최소화하면서 폴리실리콘을 빠르게 제거하도록 설계됐다. 회사는 스크래치와 입자 발생, 디싱, 침식을 줄여 공정 제어와 웨이퍼 표면 품질을 뒷받침하는 데 초점을 맞췄다고 설명했다.
실리콘 베어 웨이퍼 표면처리액은 CMP 이후 표면 젖음성을 개선하고 오염을 방지하는 용도로 개발됐다. 연마 후 입자 부착을 줄여 후속 제조 공정의 엄격한 표면 청정도 요건에 대응하도록 설계했다.
유리 TGV용 슬러리는 구리 벌크, 배리어 금속, 베어 유리처럼 물성이 다른 소재를 함께 연마하는 데 쓰인다. 이들 소재를 함께 가공해 TGV 제조에 필요한 평탄도와 표면 균일도를 확보하는 것이 목표다.
에이스나노켐은 국내 주요 제조사에 반도체 소재를 공급해 온 경험을 바탕으로 대만(Taiwan)과 일본(Japan)에서 사업 기회를 넓힐 계획이다. 정기적으로 SEMICON TAIWAN에 참가하고 주요 파운드리와 기술 협력을 추진하며 해외 고객·산업 파트너와의 관계를 강화하고 있다.
이종훈 에이스나노켐 대표는 “이 세 제품은 전력 소자부터 첨단 패키징까지 까다로운 제조 공정에 필요한 반도체 소재 개발에 주력해 온 노력을 반영한다”고 말했다. 이어 “우리는 소재 기술과 제조 역량을 바탕으로 대만, 일본을 비롯한 세계 시장의 반도체 제조사들과 기술 협력을 심화하고자 한다”고 밝혔다.
에이스나노켐은 1999년 12월 콜로이달 실리카 사업을 시작해 나노입자 제어 기술 분야에서 20년 넘게 전문성을 쌓았다. 완전 자동화 제조라인과 연간 생산능력 6만 톤의 전용 원료 생산시설을 운영한다고 설명했다. ACESOL® 반도체 CMP 슬러리와 ACESOL®WP 웨이퍼 연마 슬러리를 SK하이닉스(SK hynix), SK실트론(SK siltron), SSMC, 글로벌웨이퍼스(GlobalWafers), 앰코테크놀로지(Amkor Technology) 등에 공급하고 있다. 한국 정부의 1000만 달러 수출의 탑과 SK하이닉스·SK실트론·SSMC의 우수 협력사상을 받았다.
