HBM·DRAM·HBF·SSD 계층 연결 전략을 전면 공개
AI 전문가 350여 명, 데이터센터 기술 최신 동향 공유
핵심 요약
- SK하이닉스는 8월 4~6일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 FMS 2026에서 HBM, HBF, CXL을 포함한 차세대 AI 메모리 전략을 공개했다고 8월 7일 밝혔다.
- FMS 2026에는 AI 전문가 350여 명과 업계 관계자 3,500명 이상이 참석해 AI 메모리와 데이터센터 기술 동향을 공유했다.
- SK하이닉스는 HBM4, HBM4E, HBM3E, 375단 4D 낸드 웨이퍼, 차세대 eSSD와 CXL 기반 메모리 기술 시연을 선보였다.
SK하이닉스가 8월 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에서 HBM(High Bandwidth Memory), HBF(High Bandwidth Flash), CXL(Compute eXpress Link)을 아우르는 차세대 AI 메모리 전략을 공개했다고 8월 7일 밝혔다.
이번 행사에는 AI 전문가 350여 명과 업계 관계자 3,500명 이상이 참석해 AI 메모리와 데이터센터 기술 동향을 공유했다. SK하이닉스는 HBM, HBF, 서버용 SSD, CXL 기반 메모리 확장 기술을 전시하고 ‘풀스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’ 전략을 소개했다.
계층형 메모리(Tiered Memory)는 HBM, DRAM, HBF, SSD를 용도별 계층으로 연결해 AI 데이터 처리 효율을 높이는 아키텍처다. SK하이닉스는 AI 에이전트 확산으로 데이터 처리량이 급증하는 환경에서 이 구조가 차세대 AI 인프라 경쟁력을 좌우할 것으로 전망했다.
김천성 SK하이닉스 Solution개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당은 기조연설에서 계층형 메모리를 AI 인프라의 핵심 기술로 제시했다. 김천성 부문장은 “AI 인프라 경쟁력은 개별 메모리 성능보다 여러 메모리 계층을 어떻게 연결하고 최적화하느냐에 달려 있다”고 말했다.
행사 마지막 날에는 임의철 SK하이닉스 Solution AT 담당이 구글, 샌디스크와 함께 HBF 기술을 소개했다. HBF는 낸드 기반 대용량 저장 능력과 HBM 수준의 고대역폭을 결합한 차세대 메모리 기술로, AI 시스템의 성능과 비용 효율을 함께 높일 수 있는 솔루션으로 평가받는다.
SK하이닉스 전시 부스에는 HBM4, HBM4E, HBM3E, SOCAMM2, DDR5 RDIMM, MRDIMM, 기업용 SSD 등 AI 서버용 메모리 제품이 배치됐다. 회사는 375단 4D 낸드 웨이퍼와 차세대 eSSD도 함께 선보이며 AI 데이터센터용 메모리 포트폴리오를 소개했다.
CXL 기반 메모리 기술 시연도 이어졌다. SK하이닉스는 Pooled Memory와 CMM-Hybrid를 활용한 AI 에이전트 시스템으로 대규모 KV 캐시를 효율적으로 처리하는 기술을 선보였고, 메모리 연산 기능을 적용한 CMM-Ax 기반 AI 추론 기술도 공개했다.
SK하이닉스는 공정 자동화, HBF, 침수 냉각 SSD, 칩렛 기반 메모리 확장, CXL 풀링 등 12개 기술 세션을 운영해 AI 메모리 연구 성과를 공유했다. SK하이닉스 관계자는 “FMS 2026에서 차세대 AI 메모리 아키텍처와 AI 인프라 전 계층을 아우르는 기술 경쟁력을 선보였다”며 “고객과 파트너가 필요로 하는 AI 메모리 솔루션을 지속적으로 개발해 시장을 선도하겠다”고 말했다.